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高溫高濕反偏老化測(cè)試系統(tǒng)（H3TRB）是一種用于評(píng)估半導(dǎo)體器件在高溫、高濕和反偏電壓環(huán)境下的可靠性的設(shè)備。該系統(tǒng)可以進(jìn)行高溫高濕（雙85）老化測(cè)試，通過模擬器件在實(shí)際應(yīng)用中可能遇到的惡劣環(huán)境條件，來測(cè)試器件的耐久性和性能表現(xiàn)。
H3TRB 系統(tǒng)的工作原理：
高溫高濕環(huán)境： 系統(tǒng)會(huì)提供一個(gè)高溫（通常為 85℃-150℃）和高濕（通常為 85%RH-98%RH）的環(huán)境，模擬器件在實(shí)際應(yīng)用中可能遇到的熱濕環(huán)境。
反偏電壓： 系統(tǒng)會(huì)對(duì)器件施加一個(gè)反向偏置電壓，模擬器件在實(shí)際應(yīng)用中可能遇到的電壓應(yīng)力。
長(zhǎng)時(shí)間測(cè)試： 器件會(huì)在高溫高濕和反偏電壓的環(huán)境下進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的測(cè)試，通常為幾百小時(shí)甚至幾千小時(shí)。
H3TRB 系統(tǒng)的應(yīng)用：
半導(dǎo)體器件可靠性評(píng)估： 通過 H3TRB 測(cè)試，可以評(píng)估器件在高溫高濕和反偏電壓環(huán)境下的可靠性，并篩選出性能不合格的器件。
半導(dǎo)體器件老化篩選： H3TRB 測(cè)試可以用于老化篩選器件，將性能不穩(wěn)定或壽命較短的器件篩選出來，確保器件的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。
半導(dǎo)體器件壽命預(yù)測(cè)： 通過分析 H3TRB 測(cè)試結(jié)果，可以預(yù)測(cè)器件的壽命，并為器件的壽命管理提供依據(jù)。
產(chǎn)品選型表 | ||||
體 積 | 系統(tǒng)主機(jī)： 175cm(寬)×150cm(深)×190cm(高) | ? | ||
老化板存放箱： 58cm(寬)×63cm(深)×110cm(高) | ? | |||
試驗(yàn)類型 | H3TRB □ HTRB □ / HTGB □ | |||
試驗(yàn)容量 | 通道數(shù) | 8通道□ / 16通道 | ||
試驗(yàn)工位 | 8×40=320工位 | □ / | 16×40=640工位 □ | |
試驗(yàn)條件 | 溫濕度環(huán)境 | -20℃~+150℃ /20～98%RH □ | ||
試驗(yàn)電壓 | 1000V □ / 1500V □ | |||
插板方式 | 橫插板□ / 豎插板 □ | |||
重 量 | 550kg口 /800kg □ | |||
使用條件 | 交流輸入： 380V/20KW □ ; / 220V/8KW □ | |||
去離子水：□ | 環(huán)境溫度：(25±5)℃ 口 /25℃±10℃ □ | |||
無強(qiáng)干擾源：□ | 相對(duì)濕度：不大于80% □ / 不 大 于 5 0 % | |||
MTBF | 10000小時(shí) 口 / 8000小時(shí) □ / 5000小時(shí) 口； | |||
適用標(biāo)準(zhǔn) | GJB128 MIL-STD-750D AEC-Q101 JESD22-A101 | |||
H3TRB（高溫高濕反偏）測(cè)試適用于各種封裝形式的半導(dǎo)體分立器件，包括
二極管：
整流二極管： 如硅整流二極管、肖特基二極管等
穩(wěn)壓二極管： 如齊納二極管、TVS 管等
發(fā)光二極管： 如LED、激光二極管等
光敏二極管： 如光電二極管、光敏三極管等
三極管：
雙極型三極管： 如NPN、PNP 型三極管
場(chǎng)效應(yīng)管： 如MOSFET、JFET 等
可控硅：
晶閘管： 如普通晶閘管、雙向晶閘管等
GTO（門極可關(guān)斷晶閘管）
MCT（MOS控制晶閘管）
其他器件：
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）
IPM（智能功率模塊）
光電耦合器
繼電器
適用H3TRB測(cè)試的器件封裝形式：
SMD 表面貼裝器件： 如 SOP、QFN、QFP、BGA 等
通孔插件器件： 如 TO-92、TO-220、TO-3P、SOT-23 等
高溫高濕反偏老化測(cè)試系統(tǒng)（H3TRB）是一種用于評(píng)估半導(dǎo)體器件在高溫、高濕和反偏電壓環(huán)境下的可靠性的設(shè)備。該系統(tǒng)可以進(jìn)行高溫高濕（雙85）老化測(cè)試，通過模擬器件在實(shí)際應(yīng)用中可能遇到的惡劣環(huán)境條件，來測(cè)試器件的耐久性和性能表現(xiàn)。
H3TRB 系統(tǒng)的工作原理：
高溫高濕環(huán)境： 系統(tǒng)會(huì)提供一個(gè)高溫（通常為 85℃-150℃）和高濕（通常為 85%RH-98%RH）的環(huán)境，模擬器件在實(shí)際應(yīng)用中可能遇到的熱濕環(huán)境。
反偏電壓： 系統(tǒng)會(huì)對(duì)器件施加一個(gè)反向偏置電壓，模擬器件在實(shí)際應(yīng)用中可能遇到的電壓應(yīng)力。
長(zhǎng)時(shí)間測(cè)試： 器件會(huì)在高溫高濕和反偏電壓的環(huán)境下進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的測(cè)試，通常為幾百小時(shí)甚至幾千小時(shí)。
H3TRB 系統(tǒng)的應(yīng)用：
半導(dǎo)體器件可靠性評(píng)估： 通過 H3TRB 測(cè)試，可以評(píng)估器件在高溫高濕和反偏電壓環(huán)境下的可靠性，并篩選出性能不合格的器件。
半導(dǎo)體器件老化篩選： H3TRB 測(cè)試可以用于老化篩選器件，將性能不穩(wěn)定或壽命較短的器件篩選出來，確保器件的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。
半導(dǎo)體器件壽命預(yù)測(cè)： 通過分析 H3TRB 測(cè)試結(jié)果，可以預(yù)測(cè)器件的壽命，并為器件的壽命管理提供依據(jù)。
產(chǎn)品選型表 | ||||
體 積 | 系統(tǒng)主機(jī)： 175cm(寬)×150cm(深)×190cm(高) | ? | ||
老化板存放箱： 58cm(寬)×63cm(深)×110cm(高) | ? | |||
試驗(yàn)類型 | H3TRB □ HTRB □ / HTGB □ | |||
試驗(yàn)容量 | 通道數(shù) | 8通道□ / 16通道 | ||
試驗(yàn)工位 | 8×40=320工位 | □ / | 16×40=640工位 □ | |
試驗(yàn)條件 | 溫濕度環(huán)境 | -20℃~+150℃ /20～98%RH □ | ||
試驗(yàn)電壓 | 1000V □ / 1500V □ | |||
插板方式 | 橫插板□ / 豎插板 □ | |||
重 量 | 550kg口 /800kg □ | |||
使用條件 | 交流輸入： 380V/20KW □ ; / 220V/8KW □ | |||
去離子水：□ | 環(huán)境溫度：(25±5)℃ 口 /25℃±10℃ □ | |||
無強(qiáng)干擾源：□ | 相對(duì)濕度：不大于80% □ / 不 大 于 5 0 % | |||
MTBF | 10000小時(shí) 口 / 8000小時(shí) □ / 5000小時(shí) 口； | |||
適用標(biāo)準(zhǔn) | GJB128 MIL-STD-750D AEC-Q101 JESD22-A101 | |||
H3TRB（高溫高濕反偏）測(cè)試適用于各種封裝形式的半導(dǎo)體分立器件，包括
二極管：
整流二極管： 如硅整流二極管、肖特基二極管等
穩(wěn)壓二極管： 如齊納二極管、TVS 管等
發(fā)光二極管： 如LED、激光二極管等
光敏二極管： 如光電二極管、光敏三極管等
三極管：
雙極型三極管： 如NPN、PNP 型三極管
場(chǎng)效應(yīng)管： 如MOSFET、JFET 等
可控硅：
晶閘管： 如普通晶閘管、雙向晶閘管等
GTO（門極可關(guān)斷晶閘管）
MCT（MOS控制晶閘管）
其他器件：
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）
IPM（智能功率模塊）
光電耦合器
繼電器
適用H3TRB測(cè)試的器件封裝形式：
SMD 表面貼裝器件： 如 SOP、QFN、QFP、BGA 等
通孔插件器件： 如 TO-92、TO-220、TO-3P、SOT-23 等
